Летние скидки на полевые транзисторы IXFN 180N20 производства Ixys

[Вадим Чорний]

Компания СЭА предлагает летнюю скидку на складскую позицию: N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) в корпусе SOT-227B. Электронные компоненты IXFN 180N20 произведены Ixys Semiconductor GmbH. Скидка в размере -20%.

Внимание! Количество акционной продукции на складе в Киеве - ограничено.

Основные технические характеристики полевых транзисторов IXFN 180N20:

• Структура транзистора: MOSFET
• Тип управляющего канала: N
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 700 Bт
• Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 200 B
• Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
• Предельный ток затвора транзистора (Id): 180 А
• Предельная температура (Tj): 150 С
• Время нарастания (Fr):
• Ёмкость стока (Cd): 22000 Пф
• Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.01 Ом
• Корпус: SOT227B

Посмотреть даташит>>>


Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с Компанией СЭА - официальным дистрибьютором IXYS на территории Украины, по телефону (044) 291-00-41 или e-mail: info@sea.com.ua