Форум проєктувальників електричних та слабострумних мереж
Автор: Вадим Чорний
« : 09 Липень 2014, 10:18:33 »Компания СЭА предлагает летнюю скидку на складскую позицию: N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) в корпусе SOT-227B. Электронные компоненты IXFN 180N20 произведены Ixys Semiconductor GmbH. Скидка в размере -20%.
Внимание! Количество акционной продукции на складе в Киеве - ограничено.
Основные технические характеристики полевых транзисторов IXFN 180N20:
Посмотреть даташит>>>
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с Компанией СЭА - официальным дистрибьютором IXYS на территории Украины, по телефону (044) 291-00-41 или e-mail: info@sea.com.ua
Внимание! Количество акционной продукции на складе в Киеве - ограничено.
Основные технические характеристики полевых транзисторов IXFN 180N20:
- Структура транзистора: MOSFET
- Тип управляющего канала: N
- Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 700 Bт
- Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 200 B
- Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
- Предельный ток затвора транзистора (Id): 180 А
- Предельная температура (Tj): 150 С
- Время нарастания (Fr):
- Ёмкость стока (Cd): 22000 Пф
- Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.01 Ом
- Корпус: SOT227B
Посмотреть даташит>>>
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с Компанией СЭА - официальным дистрибьютором IXYS на территории Украины, по телефону (044) 291-00-41 или e-mail: info@sea.com.ua